Disco Duro SSD Samsung 860 EVO 250GB 2,5 '' SATA 3

Samsung 860 EVO 250GB 2,5 ' '

Vi presentiamo la nuova versione delle vendite SATA SSD l &iuterer, la Samsung 860 EVO. Il nuovo SSD presenta il Samsung V-NAND Samsung e un robusta controller basato sull'algoritmo, ed è disponibile in diversi formati e funzionalità.

Godere della velocità costante anche con grandi carichi di lavoro e multitasking. L'unità SSD 860 EVO di Samsung fornisce una velocità di scrittura sequenziale fino a 520 MB/s grazie alla tecnologia Intelligent TurboWrite íg, e una velocità di scrittura sequenziale fino a 550 MB/s. Il buffer Tama ñ o TurboWrite è stato migliorato da 12 GB a 78 GB, offrendo un trasferimento di file m &aecas r &arecute;

Secuzioni memorie e rinnovi di sicurezza e renders 3D utilizzati dalle ultime applicazioni, fino a 8 volte il TBW (Terabyte Scritto)       che il modello precedente 850 EVO. L'ultima tecnologia í a V-NAND fornisce un'affidabilità del mercato con 5 a ñ s di garant í a o 2.400 TBW.

Benef &iacciato de una comunicaci &oatuten m áres r áres pípida y fluido con tu equipo. Il nuovo algoritmo ECC   e il suo driver MJX generano alta velocità m &aasties, mentre la sua coda potenziata TRIM ó favorisce la sua compatibilità con Linux. Il nostro ingegnere avanzato íos a har &aetuos il nostro SSD 860 EVO m &aUteres compatibile con il tuo sistema operativo.

Qualunque sia il tama ñ o il tuo computer, ci sarà sempre un SSD 860 EVO per te. Scegli dal modello 2,5 ” per il tuo PC o porta &atil oppure la SATA M. 2 (2280) e mSATA per le apparecchiature ultra sottili. Come semplice.

Samsung 860 Specifiche EVO:

• Serie: SSD 860 EVO
• Interfaccia: interfaccia SATA 6 Gb / s, compatibile con interfaccia SATA 3 Gb / s e SATA 1,5 Gb / s
• Capacità: 250 GB *Capacità effettiva utilizzabile può essere inferiore (a causa di formattazione, partizioni, sistema operativo, applicazioni, o altri)
• Velocità di lettura sequenziale fino a 550 MB/s
  • * Prestazioni possono variare sec &uendon di
  • Velocità di scrittura sequenziale: Fino a 520 MB/s scrittura sequenziale
    • * Prestazioni possono variare sec&uastina l'hardware del sistema e
    • Random read rate: Random read (4 KB, QD32): fino a 98000 letture casuali di lettura casuale di IOPS (4 KB, QD1): fino a 10.000 IOPS di lettura casuale
      • * Prestazioni possono variare sec &uendon system hardware e
      • Random scrivere (4KB, QD32): fino a 90.000 scritture casuali IOPS (4KB, QD1): fino a 42.000 scritture casuali IOPS
        • * Performance
        • System hardware e
      MJX Controller
      • NAND Flash: Samsung V-NAND 3bit MLC
      • Cach Memory &eachoes: Samsung 512 MB low power DDR4 SDRAM
      • Trim Support: S &iactos
      • Encryptaci 256 - bit AES (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (unità crittografata)
      • Responsabilità (MTBF): 1,5 milioni di ore di affidabilità (MTBF)